Konposite Aurreratuen eremuko kide gisa, karbono zuntz ultra laburrak, bere propietate bereziarekin, arreta zabala piztu du industria eta teknologia arlo askotan. Materialen errendimendu handiko irtenbide berria eskaintzen du, eta ezinbestekoa da aplikazioen teknologien eta prozesuen ulermen sakon bat erlazionatutako industrien garapena gidatzeko.
Ultrashort karbono zuntzen mikrografiak
Normalean, karbono zuntz ultra laburren luzera 0,1 - 5mm artean dago, eta haien dentsitatea txikia da 1,7 - 2G / CM³. 1,7 - 2,2g / cm³-ko dentsitate baxua du, 3000 - 7000mpako tentsio-indarra eta 200 - 700gpako elastikotasun modulua, propietate mekaniko bikain hauek karga-egituretan erabiltzeko oinarria da. Gainera, tenperatura handiko erresistentzia bikaina du eta 2000 ºC baino gehiagoko tenperatura altuak jasan ditzake oxidatu gabeko giroan.
Aeroespace eremuan karbono zuntz ultra-laburra duen prozesua eta prozesua
Eremu aeroespazialean, karbono zuntz ultra laburra da batez ere indartzeko erabiltzen daerreinainMatrize konposatuak. Teknologiaren gakoa karbono zuntzak erretxinaren matrizean modu uniformean sakabanatzea da. Adibidez, ultrasoinu dispertsioaren teknologia onartzeak karbono zuntzezko aglomerazioaren fenomenoa modu eraginkorrean apurtu dezake, sakabanaketaren koefizienteak% 90 baino gehiago iristeko, propietate materialen koherentzia bermatuz. Aldi berean, zuntz gainazaleko tratamendu teknologiaren erabilera, hala nola erabiltzeaakoplamendu agentziaTratamenduak egin dezakekarbono zuntzeta erretxina interfazearen lotura indarra% 30 igo da -% 50.
Hegazkinen hegoak eta bestelako egiturazko osagaiak fabrikatzean, depositu prozesu beroa erabiltzea. Lehenik eta behin, karbono zuntz ultra-laburra eta erretxina prepregoz egindako zenbait proportzioarekin nahastuta, prentsa-depositu beroan geruzetan. Ondoren, 120 - 180 ºC-ko tenperaturan moldatu eta moldatu egiten da eta 0,5 - 1,5MPAren presioa. Prozesu honek modu eraginkorrean alta eman dezake material konposatuan, produktuen iraunkortasuna eta errendimendua bermatzeko.
Automozio industrian karbono zuntz ultra-laburra aplikatzeko teknologia eta prozesuak
Karbono ultra-zuntzak automobilgintzari aplikatzean, oinarrizko materialarekin bateragarritasuna hobetzea da ardatza. Batamendu espezifikoak gehituz, karbono zuntzak eta oinarrizko materialen arteko atxikimendu interfazea (adibpolipropilenoa, etab.)% 40 inguru handitu daiteke. Aldi berean, estresa ingurune konplexuetan duen errendimendua hobetzeko, zuntz orientazioaren diseinuaren teknologia zuntz lerrokatzeko norabidea doitzeko erabiltzen da, estresaren norabidearen arabera.
Injekzioaren moldaketa prozesua maiz erabiltzen da automobilezko kanpaiak bezalako piezak fabrikatzeko. Karbono zuntz ultra laburrak plastikozko partikulekin nahasten dira eta molde barrunbean injektatu tenperatura eta presio altuaren bidez. Injekzioaren tenperatura orokorrean 200 - 280 ℃ da, injekzio-presioa 50 - 150 MPA da. Prozesu honek formako pieza konplexuen moldaketa azkarra gauzatu dezake eta produktuetan karbono zuntzen banaketa uniformea ziurtatu dezake.
Karbono-zuntz ultra-laburra duen prozesua Elektronika eremuan
Beroaren xahutzen den eremuan, karbono zuntzen ultra-laburren eroankortasun termikoa erabiltzea da. Karbono zuntz grafitizazio maila optimizatuz, bere eroankortasun termikoa 1000W / MK) baino gehiago handitu daiteke. Bien bitartean, osagai elektronikoekin, gainazaleko metalizazio teknologiarekin duen harreman ona ziurtatzeko, hala nola, nikelazko xafla kimikoa, karbono zuntzek% 80 baino gehiago murriztu dezakete.
Hautsaren metalurgia prozesua CPU HeatSink-en fabrikazioan erabil daiteke. Karbono ultra-zuntz laburra metalezko hautsarekin (adibidez, kobre hautsa) eta tenperatura eta presio altuarekin sintetuta dago. Sinterning tenperatura 500 - 900 ºC da orokorrean eta presioa 20 - 50 MPA da. Prozesu honek karbono zuntzak bero eroale-kanal ona eratzeko aukera ematen du metalarekin eta beroaren xahutzeko eraginkortasuna hobetzen du.
Aeroespazialetik automobilgintzara elektronikara, teknologia eta prozesuen optimizazio etengabea, ultra-laburrakarbono zuntzEremu gehiagotan distira egingo du, zientzia eta teknologia modernorako eta industria garapenerako indar indartsuagoa injektatuz.
Posta: 2012-20-20 abendua